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Plessey开发出全新GaN-on-Si工艺,可为Micro LED显示屏提高光输出

钱柜娱乐777:中国LED网 时间:2019-04-02 14:05 [编辑:JamesWen]  【字体: 】  我来说两句

日前,英国Plessey Semiconductors表示,它已开发出专有的二维(2D)平面硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,无需色彩转换技术即可发出绿光。

为了产生绿光,LED制造商通常将磷光体或量子点转换材料应用在天然蓝色LED上。然后,这些材料将短波长(通常为450nm)蓝光转换为红色或绿色波长,转换效率通常为10-30%。

Plessey的天然绿色LED是由其专有的GaN-on-Si外延生长工艺形成,与天然蓝色LED类似,主要区别在于LED的量子阱结构中的铟含量。Plessey表示,由于没有颜色转换损失,天然绿色发光比Micro LED的颜色转换过程要亮几个数量级。绿色LED的主要绿色波长为530nm,半宽度(FWHM)为31nm,适用于彩色显示器。此外,绿色LED表现出优异的波长稳定性。

Plessey首席运营官Mike Snaith表示,“Plessey通过生长技术创新,已经可以提供强大、高效的天然蓝色Micro LED与绿色Micro LED,为市场提供下一代显示和器件。”(文:LED网 James)

 
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